フランス・グルノーブル - Media OutReach - 2020年5月25日- Teledyne e2vは、本日、4GBの容量を備えた初の耐放射線DDR4メモリチップ、 DDR4T04G72Mを発表しました。この次世代ソリューションは現在、2133MT/sでの動作確認済みで、近い将来、2400MT/sでの提供を目指しており、超高応答性、低遅延のオペレーションを提供すると同時に、非常にコンパクトなフォームファクターです。さらに信頼性の高い製造と強固な耐放射線性能によって、過酷な宇宙環境への対応に適したデバイスになっています。




この新しい宇宙グレードのデバイスのサイズは15mm×20mm×1.92mmで、Micronベースのメモリチップアレイで構成され、シングルパッケージに統合されています。72 bitバスを搭載し、64bitが専用データバス、8bitがエラー訂正コード(ECC)バスになっています。


これらのメモリチップは放射線テストが実施されており、シングルイベント効果(SEE)レポートがTeledyne e2vから提供されています。特に、シングルイベント・ラッチアップ(SEL)は最大60+MeV.cm2/mgまで発生しないことが実証されています。


この宇宙グレードのDDR4メモリの新製品はパフォーマンスレベルを向上できるだけでなく、基板の占有面積を最小限に抑えることができるため、スペースが極度に制約され、高密度に機能が詰め込まれる衛星の設計において、確実に大きな価値を発揮します。DDR4コントローラを備えたプロセッサやFPGAと併用することもでき、特にTeledyne e2v の宇宙機器用共通コンピュータプラットフォームQormino®では宇宙用のNXP LS1046クアッドコアプロセッサ(QLS1046-4GB)と併せて組み込むことができます。


熱特性強化型のパッケージ技術によって放熱性能が高められ、動作信頼性を継続的に維持することができます。フライトモデルは-55°Cから125°Cまでの拡張温度範囲まで利用可能で、NASAのレベル1 (NASA EEE-INST-002 -- Section M4 -- PEMs)およびECSSのクラス1(ECSS-Q-ST-60-13C)に準拠しています。


Teledyne e2Vセミコンダクター部門のマーケティングおよび事業開発担当マネージャー、トマス・ギルマン(Thomas Guillemain)は次のように述べています。「耐放射線性能と頑強な構造、小型のフォームファクターを組み合わせることで、この耐放射線4GB DDR4メモリは、宇宙志向型システムへの統合のための非常に魅力的なソリューションになっています。この宇宙グレードのDDR4によって、プロセッシング統合型の宇宙用アプリケーションに求められる新世代のプロセス用デバイスへの移行が可能になります。」


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